格雷格•欧文

uwtsd家-研究所和学院-威尔士科学与艺术学院(WISA)-我们的员工- Gregory Thomas Owen博士

Gregory Owen Mphys博士,博士

高级讲师

电话:+44 (0)1792 48100
电子邮件:gregory.owen@www.guaguababy.com



教学和学习,研究

在纳米结晶气体传感器的光谱,电气和形态分析中完成PH.D之前获得了物理学的本科大师程度。

后博士研究在西格玛3的晶界工程领域和特殊谷物边界,包括休假到意大利法拉拉大学。

在二级,FE和HE设置中获得了合格的教学状况和教学任用。

努力实现HEA地位,曾,CPhys

教学兴趣包括:

  • 材料与制造业
  • 制造业材料和介绍
  • 制造、设计与技术
  • 先进工艺和材料
  • 材料的结构与性能
  • 服务中的材料
  • 医学工程
  • 生物力学

研究兴趣:

  • 谷物边界工程
  • 纳米结晶材料的表征及其对氧化和还原气体的反应
  • 通过SPM对半导体器件测量的纳米级形态变化的电子性质的相关性
  • 本科工程中使用的教学技
  • Σ 3退火孪晶在二次再结晶中的时间演变
  • 商业晶界工程材料的五参数分析与晶界分布
  • 医学工程

[1]琼斯R,欧文G和RANDLE V,碳化物沉淀和晶界平面选择在过度型316奥氏体不锈钢中。提交给母体。SCI。eng。

[2] Randle V.,Rohrer G.S.,Miller H.M,Coleman M.和Owen G.T.,商业晶界工程镍和铜,Acta Mater的五参数晶界分布。

Randle V.和Owen G.T.(2007)铜和黄铜的晶界工程机制的比较。特邀纸张,Thermec,温哥华,Trans。技术通讯,539- 543,3365 -3370。

[4] Randle V.,Coleman M.和Owen G.T.,(2007)作为变形和退火后果的晶界网络的演变。变形和退火的基础,邀请纸,曼彻斯特,母体。SCI。论坛,550,35-44。

[5] Randle V.,Rohrer G.,Owen G.T.(2006)边界平面在晶界工程中的作用,邀请纸,12TH.int。Symp。论塑性及其目前应用,Nova Scotia,Ed。作为。Khan和R. Kazmi,307-309。

[6]欧文GT和RANDLE V,(2006)就迭代处理在晶界工程中的作用,Scripta Mater。,55,959-962。

[7] Randle V.和欧文G.T.(2006年)谷物边界工程机制,ACTA MART,54,1777-1783。

[8]展位M.,Randle V.和Owen G.,(2005)σ3退火双胞胎中的次级再结晶镍,J.Imical。,217,162-166。

T.G.G. Maffeis, G.T. Owen, M.W. Penny, T.K.H. Starke, S.A. Clark, h.f erkel, S.P. Wilks,纳米晶SnO2气体传感器在高温下对O-2和CH4的响应。表面科学520(2002)29-34。

[10] p.r. dunstan,t.g.g.g.M.P.Maffeis,M.P.Ackland,G.T.欧文和S.P.Wilks,电子性质与SPM在半导体器件上测量的纳米级形态变化的相关性。物理冷凝物15(2003)S3095-S3112。

[11] C. Malagu,M.C.Carotta,H.Fissan,V.Guidi,M.K.Kennedy,F.e.Kruis,G. Martinelli,T.G.G.G。Maffeis,G.T.欧文和S.P. Wilks,表面状态密度降低纳米结构多晶SnO2:建模和实验证据。传感器和执行器B-Chemical 100(2004)283-286

[12] T.G.G.Maffeis,G.T.欧文,M. Penny,H.S.Ferkel和S.P.Wilks,SNO2纳米晶体表面的STM图案化。应用表面科学234(2004)2-10。

通过扫描隧道显微镜和光谱学对纳米晶SnO2表面的室温和高温表征。国际纳米科学杂志,第3卷,第4期和第5期3(2004)519-524。

T.G.G. Maffeis, A. Penny, K.S. Teng, S.P. Wilks, H.S. Ferkel, G.T. Owen,高温下气体暴露对纳米晶SnO2影响的宏观和微观研究。应用表面科学234(2004)82-85。

[15] C.Malagu,M.C.Carotta,S. Galliera,V.Guidi,T.G.G.G。Maffeis,G. Martinelli,G.T.欧文和S.P. Wilks,在10nM多晶SnO2中扁平化的表现。传感器和致动器B-化学物料103(2004)50-54。

[16] T.G.G.Maffeis,G.T.欧文,C.Malagu,G. Martinelli,M.K.Kennedy,F.e.Kruis和S.P. Wilks,直接证据表明表面状态密度对通过扫描隧道光谱观察到的SnO2纳米粒子尺寸的依赖性。表面科学550(2004)21-25。

[17] S.P. Wilks,T.G.G.G.Maffeis,G.T.欧文,K.S.Teng,M.W. Penny和H. Ferkel,在纳米级上的电荷写作:从纳米透明部件到分子对接。真空科技B 22(2004)1995-1999。